激光淀积相关论文
采用低压氧气放电辅助的激光淀积方法,原位外延生长出零电阻温度91K,临界电流密度105A/cm2的Y-Ba-Cu-O高温超导薄膜。扫描电镜和X......
利用准分子激光束辐照Y-Ba-Cu-O超导靶体,使之元素溅射出来,喷到平行于靶面的基片之上而淀积成膜,然后通过适当的退火过程,所制薄......
利用ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）脉冲准分子激光淀积技术在功率密度５×１０８Ｗ／ｃｍ２、室温、真空度１０－３Ｐａ的条件下，制备出不含氢成分的类金刚石薄膜，研究了类金刚石薄膜的特性及其随......
利用ＫｒＦ超短脉冲激光器（２４８ｎｍ，５００ｆｓ，１０ｍＪ）开展了超短脉冲激光淀积类金刚石薄膜的实验研究，薄膜生长速率０．０２ｎｍ／ｐｕｌｓｅ，厚度０．５～０．６μｍ，显微硬度５５ＧＰａ，光学透过率优于９０％（５８０～２０μｍ）。采用等离子体的......
报道用脉冲 Ar F激光烧蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si( 1 1 1 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,再经92 0℃真空 ( 1 0 - 3Pa)退火处理 ,制备......
自1987年贝尔实验室首次用脉冲准分子激光制备出高温超导薄膜以来，脉冲激光淀积技术已得到了蓬勃发展，现在已成为最好的薄膜制备技术......
